模拟电子技术基础-知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

2．动态分析

*电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

*输出电阻

八.共集电极基本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

3.电路特点

*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。

*输入电阻高，输出电阻低。

第三章场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管（JFET）

1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

转移特性曲线

UP-----截止电压

二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

*N-EMOS的转移特性曲线

式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。

*N-DMOS的输出特性曲线

注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。

三.场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流IDSS

2.夹断电压Up

3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)

四.场效应管的小信号等效模型

E-MOS的跨导gm---

五.共源极基本放大电路

1.自偏压式偏置放大电路

*静态分析

动态分析

若带有Cs，则

2.分压式偏置放大电路

*静态分析

*动态分析

若源极带有Cs，则

六.共漏极基本放大电路

*静态分析

或

*动态分析

第四章多级放大电路

级间耦合方式

1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。

2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。

3.直接耦合----低频特性好，便于集成。各

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